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武汉科美芯电气有限公司

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首页 > 供应产品 > SiC MOS P3M06060T3
SiC MOS P3M06060T3
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产品: 浏览次数:7SiC MOS P3M06060T3 
品牌: 派恩杰
VDS: 600V
Ron: 60mΩ
品牌: PNJ
单价: 面议
最小起订量: 1 只
供货总量: 99999 只
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2024-12-09 13:39
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详细信息
 SiC MOS P3M06060T3

N-Channel Enhancement Mode

Features

Qualified to AEC-Q101

High Blocking Voltage with Low On-Resistance

High-Frequency Operation

Ultra-Small Qgd

100% UlS tested

Benefits

lmprove System Efficiency

Increase Power Density

Reduce Heat Sink Requirements

Reduction of System Cost

Applications

Solar inverters

EV Battery Chargers

High Voltage DC/Dc Converters。

Switch Mode Power Supplies

SiC MOSFET的出现和广泛应用为功率半导体产业和电力电子产业带来了一场影响深远的技术革命。SiC MOSFET在导通电阻,开关损耗,高温运行和导热性上的优异特性极大地提升了电力电子系统的转换效率和功率密度,并使得系统的整体成本降低。因此,在汽车应用,工业应用,通信电源和数据中心,SiC MOSFET正在逐步替代传统的硅基功率器件。派恩杰半导体在650V,1200V,1700V多个电压平台均有量产的分立器件产品,且在不同载流能力和封装形式上,产品目录齐全,可以为客户提供全方位的选择。

原文链接:http://www.56zbw.cn/chanpin/show-260485.html,转载和复制请保留此链接。
以上就是关于SiC MOS P3M06060T3全部的内容,关注我们,带您了解更多相关内容。
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